PDF Datasheet资料信息

型号:QS6K1TR


类别:分立式半导体产品 > FET - 阵列
厂家:Rohm Semiconductor
描述:MOSFET 2N-CH 30V 1A TSMT6
参考单价:$0.21
包装:带卷 (TR)可替代的包装
系列:-
FET 类型:2 个 N 沟道(双)
FET 功能:逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss):30V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):1A
不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值):238 毫欧 @ 1A,4.5V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):1.5V @ 1mA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):2.4nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):77pF @ 10V
功率 - 最大值:1.25W
安装类型:表面贴装
封装/外壳:SOT-23-6 细型,TSOT-23-6
供应商器件封装:TSMT6
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型号:LM324N厂商:SUM封装:DIP14批号:13+14+

数量: pcs
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